AMD制造部门资深副总裁Doug Grose表示,研发初期与IBM合作,透过IBM先进De制程技术可加速其研发速度,现时AMD正与IBM合作以浸没式微影技术、Ulta-Low-K、High-K及Metal Gate技术,制造45纳米及32纳米制程产品,并已为22纳米进行初期De研发工作.量产方面则采用“FlexFab”理念,除了自己所拥有De晶圆厂商外,还会交给Chartered、TSMC及UMC代工,多供货商政策将效分散AMDDe风险,提升供货弹性.

　　Chartered现时正主力AMD代工90纳米处理器,其Chartered Fab 7晶圆厂己在提升制程技术,预计2007年下半年将提升至以生产65纳米产AMD处理器为主.TSMC将主力为AMD代工显示芯片、芯片组及整合型ＩＧ芯片产品,第二季度已为AMD生产约2百万片晶圆,并预期将会于第四季以55钠米代工AMD绘图产品.

　　Doug Grose指出,AMD 45nm技术可望于2008年下半年量产,透过Ultra-Low-K技术,效能进一步提升约20%,并保持相同De功耗水平.此外,AMD计划采用High-K/Meta Gate技术于第二代45纳米及新一代32纳米之中,进一步提升芯片频率及能效表现.

　　

　　

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