为配合新一代操作系统Vista新增DeReadyBoost及ReadyDrive技术,Intel于4月中发布De新一代迅驰平台Santa Rosa中,加入了全新DeTurbo Memory技术,能配合ReadyBoost技术提高操作系统及应用程序De启动效率,而AMD亦不敢怠慢,将会于新一代SB700南桥中,加入全新HyperFlash技术应战,此技术将会采用SamsungDeOneNAND Flash模块,体积减小并有效降低成本.

据微软指出,新一代Windows Vista操作系统DeReadyBoost及ReadyDrive功能,能缩短操作系统及应用程序De启动时间,为硬盘提供更大De缓存容量,提升读写时间,并减少硬盘启动及转动次数,降低硬盘De耗电,进一步提升电池续航力,而Intel Turbo Memory技术支持以上两项功能,令运作Vista时能效表现更好.

为对抗Intel Turbo Memory技术,AMD计划于SB700南桥中加入全新DeHyperFlash技术,它将会把闪存控制器线路与IDE总线整合,支持三星OneNAND芯片,最高支持4颗,芯片频率为80MHz,16Bit接口最高传输速度为108MB/s,并声称相比Intel Turbo Memory快30%.

目前,HyperFlash所采用De模块是由Molex设计,PC厂商可自行生产HyperFlash卡,可支持512MB、1GB及2GB容量,相比Intel Turbo Memory必须由Intel自行生产,HyperFlashDe吸引力自然较高,如果HyperFlash营销策略成功,将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商.

根据AMD芯片组最新规划,SB700南桥正处于A12样本阶段,预计DVT样品将会在11月初试产,12月正式量产,不过量产后初期HyperFlash功能只会在Beta驱动程序中提升,支持HyperFlashDe正式版本驱动程序预计要在明年2月才会上阵.

图左下为HyperFlash模块设计,图右上为HyperFlash模块卡工程样本.

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